FDP51N25 :标准包装 50
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 250V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 51A
Rds()@ ID,VGS 60 mOhm @ 25.5A, 10V
VGS(TH)()@ Id 5V @ 250μA
栅极电荷(Qg)@ VGS 70nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 3410pF @ 25V
功率 - 320W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220
包装材料 Tube
包装 3TO-220AB
通道模式 Enhancement
漏源电压 250 V
连续漏极电流 51 A
RDS -于 60@10V mOhm
门源电压 ±30 V
典型导通延迟时间 62 ns
典型上升时间 465 ns
典型关闭延迟时间 98 ns
典型下降时间 130 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
门源电压 ±30
欧盟RoHS指令 Compliant
工作温度 150
标准包装名称 TO-220
工作温度 -55
渠道类型 N
产品广泛应用于电源,通讯,汽车电子,医疗设备,节能灯,家电,等领域
<1>电源类产品:开关电源、不间断电源UPS、电源转换器AC/DC、DC/DC、手机充电器等
<2>消费电子类产品:音响、DVD/VCD、DVD刻录机、机顶盒、MP3等
<3>汽车电子类产品:HID安定器、汽车音响、车载DVD、汽车导航系统、汽车防盗器等
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